在半导体芯片生产过程中，使用SC1（ NH 4 OH+H 2 O 2 +H 2 O ）清洗液是常见的操作，旨在清除半导体硅片表面的尘埃颗粒。然而，这一过程产生的氨氮废水浓度较高，其中氨氮主要以游离态氨和铵根离子的形式存在，含量通常在600～1000 ppm。
针对上述问题，江苏中电创新环境科技有限公司 率先将Bio-HiSA反应器（短程硝化/厌氧氨氧化）工艺应用于半导体行业的高 氨氮废水处理 当中。
短程硝化/厌氧氨氧化反应器具备运行成本低、占地面积小、无固体废弃物等特点。
这一技术的应用突破了传统吹脱法的限制，解决了产生二次废物的问题 ，实现了进一步降本增效，同时减少了温室气体的排放。
此外， 该技术还具有高效、节能、稳定等优点 ，是高浓度氨氮废水处理的最新科技成果，也是工业废水处理领域实现“双碳”目标的重要手段。
短程硝化-厌氧氨氧化工艺（ SHARON –ANAMMOX） 分别在两个反应器中实现部分硝化和厌氧氨氧化。
· 短程硝化 ：短程硝化（SHARON）是在好氧条件下，通过氨氧化菌（AOB）以氧气为电子受体将氨氧化成 亚硝酸盐 的生物反应。
· 占地面积小： 与传统的硝化/反硝化生物处理工艺相比，短程硝化/厌氧氨氧化反应器的 容积负荷 提高5~10倍，无需庞大的废水池，从而节约了占地面积，使得在半导体厂区布置更加灵活。
· 无固体废弃物： 短程硝化/厌氧氨氧化反应器几乎无污泥产出，与传统生物脱氮工艺相比，显著降低剩余污泥的处理和处置成本。与吹脱法相比，该工艺不产生硫酸铵废液，进一步降低了委外成本。
· 推荐 集成电路行业 高氨氮废水的处理。
· 出水水质： NH 3 -N浓度< 20 mg/L，TN浓度<50 mg/L
· 去除率： 氨氮 > 90%，TN约80%。
